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激光切割機半導體激光器通過一定的激勵方式，在半導體物質的能帶（導帶與價帶）之間，或者半導體物質的能帶與雜質（受主或施主）能級之間，實現非平衡載流子的粒子數反轉，當處于粒子數反轉狀態(tài)的大量電子與空穴復合時便產生受激發(fā)射作用。
    半導體激光器的激勵方式主要有三種：
1、電注入式
電注入式半導體激光器一般是由GaAS（砷化鎵）、InAS（砷化銦）、Insb（銻化銦）等材料制成的半導體面結型二極管，沿正向偏壓注入電流進行激勵，在結平面區(qū)域產生受激發(fā)射。
2、電子束激勵式;
電子束激勵式半導體激光器一般用N型或者P型半導體單晶（PbS、CdS、ZhO等）作為工作物質，通過由外部注入高能電子束進行激勵。
3、光泵浦激勵式;
光泵浦激勵式半導體激光器一般用N型或P型半導體單晶（GaAS、InAs、InSb等）作為工作物質，以其它激光器發(fā)出的激光作光泵激勵。
　　目前在半導體激光器件中，性能較好、應用較廣的是：具有雙異質結構的電注入式GaAs二極管半導體激光器。

    在泵浦固體激光器等應用的推動下，高功率半導體激光器取得了突破性進展，其標志是半導體激光器的輸出功率顯著增加，國外千瓦級的高功率半導體激光器已經商品化，國內樣品器件輸出已達到600W。未來，半導體激光器的發(fā)展趨勢主要在高速寬激光器、大功率激光器、短波長激光器、中紅外激光器等方面。